華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC理化指標
| 性能 | 單位 | HS-A | HS-P | HS-XA |
|---|---|---|---|---|
| 晶體尺寸 | μm | 4-10 | 4-10 | 4-10 |
| 密度 | g/cm | ≥3.1 | 3.0-3.1 | >3.1 |
| 努普硬度 | Kg/mm2 | 2800 | 2800 | 2800 |
| 四點彎曲抗彎強度（室溫） | MPa*m1/2 *1031b/in2 |
385 55 |
240 55 |
420 55 |
| 抗壓強度（室溫） | Mpa *1031b/in2 |
3900 560 |
3900 560 |
|
| 彈性模量（室溫） | Gpa *1031b/in2 |
410 59 |
400 58 |
410 59 |
| 韋伯模量（2參數） | 8 | 19 | 12 | |
| 柏松比 | 0.14 | 0.14 | 0.14 | |
| 斷裂韌性（室溫） | MPa*m1/2 *131b/in2in? |
8 |
8 |
8 |
| 熱膨脹系數（室溫至700°C） | X10-6mm/mmK X10-6 in/in°F |
4.02 2.2 |
4.2 2.3 |
4.02 2.2 |
| 最高使用溫度 | °C J/gmK |
1900 0.67 |
1900 0.59 |
1900 0.67 |
| 熱傳導率@室溫 | W/mK Btu/ft h°F |
125.6 72.6 |
110 64 |
125.6 72.6 |
| @200°C | W/mK Btu/ft h°F |
102.6 59.3 |
102.6 59.3 |
|
| @400°C | W/mK Btu/ft h°F |
77.5 44.8 |
77.5 44.8 |
|
| 滲透率@室溫 1000°C | 31MPa以內無氣體泄漏 | |||
| 電阻率 | Ohm-cm | 102-106 | N/A | 102-106 |
| 熱輻射系數 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | |
| 性能 | 華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC | 反應結合碳化硅 | 碳化鎢 | 氧化鋁 |
|---|---|---|---|---|
| 成分 | SiC | SiC+10%Si | WC+6%Co | A12O3 |
密度
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
3.10
反應結合碳化硅
3.00
碳化鎢
14.50
氧化鋁
3.93
破壞韌性
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
4
反應結合碳化硅
4.5
碳化鎢
9
氧化鋁
2.5
彈性模量
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
410
反應結合碳化硅
360
碳化鎢
400
氧化鋁
380
熱膨脹系數
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
4*10-1
反應結合碳化硅
5*10-1
碳化鎢
氧化鋁
7.6*10-6
努普硬度
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
2800
反應結合碳化硅
2700
碳化鎢
1880
氧化鋁
2200
熱傳導率
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
126
反應結合碳化硅
95
碳化鎢
110
氧化鋁
20
抗彎強度
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
385(55)
反應結合碳化硅
110(16)
碳化鎢
570(83)
氧化鋁
300(43)
比熱
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
0.67
反應結合碳化硅
0.80
碳化鎢
0.95
氧化鋁
0.90
抗壓強度
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
3970(560)
反應結合碳化硅
碳化鎢
7900(1140)
氧化鋁
3450(500)
空氣中最高使用溫度
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
1900
反應結合碳化硅
1200
碳化鎢
900
氧化鋁
1400
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
1.5
反應結合碳化硅
50.0
碳化鎢
>1000
氧化鋁
65.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 98%H2SO4 | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
0.5
碳化鎢
>1000
氧化鋁
7.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 70%HNO3 | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
2.5
反應結合碳化硅
>1000
碳化鎢
5.0
氧化鋁
75.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 50%NaOH | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
>1000
碳化鎢
3.0
氧化鋁
60.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 45%KOH | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
7.0
碳化鎢
8.0
氧化鋁
20.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 53%HF | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
0.9
碳化鎢
85.0
氧化鋁
72.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 25%HCI | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
8.0
碳化鎢
55.0
氧化鋁
>1000
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 85%H2PO4 | 100℃ |
腐蝕速度(mg/cm2yr)
華碩常壓燒結碳化硅HS-SiC
<0.2
反應結合碳化硅
>1000
碳化鎢
>1000
氧化鋁
16.0
| 試劑及其濃度 | 溫度 |
|---|---|
| 10%HF plus 57% HNO3 | 100℃ |
* 測試環境：液體中浸沒125-300小時，并不斷攪動。